IGBT - биполярные транзисторы
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Биполярныйтранзистор с изолированным затвором — силовой электронный прибор, предназначенный, в основном, для управления электрическими приводами.
Вас также могут заинтересовать
Структура: NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: - Макс. напр. к-э при
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесн
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-60-17TO220F Характеристики: N-Channel IGBT 40A 630V без диода Ток: 40 A | Напряжение: 630 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-47-12TO3P(N) Характеристики: Silicon N-Channel IGBT Ток: 30 A | Напряжение: 600 |
Проектирование, аттестация и обеспечение регулярных внутрироссийских и экспортных поставок мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов по техническим требованиям российского или зарубежного зака
Внимание!
Информация по IGBT - биполярные транзисторы предоставлена компанией-поставщиком Электропласт, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
