Разработка мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Проектирование, аттестация и обеспечение регулярных внутрироссийских и экспортных поставок мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов по техническим требованиям российского или зарубежного заказчика.
Вас также могут заинтересовать
Кремниевый мезапланарный мощный n-p-n транзистор 2Т803А в металлостеклянном корпусе предназначен для работы в усилительных схемах аппаратуры специального назначения. Транзисторы соответствуют техничес
Р1-17АЛЯР. 434110.016 ТУ (пр. «ВП»)-резисторы постоянные непроволочные мощные сверхвысокочастотные, предназначены для работы с теплоотводом в широкополосных узлах высокочастотной аппаратуры, в цепях д
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-33-128TO92 Характеристики: N-MOSFET 600V 0.8A <-15 Om Ток: 0.8 A | Напряжение: 600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-30-210TO220 Характеристики: N-MOSFET 12A -600V Ток: 12 A | Напряжение: 600 |
СВЧ транзисторы серий MRF, KP, 2N для радио- и телевещательной аппаратуры, наземных радаров аэропортов, усилителей мощности и т.д. в корпусированном виде и в виде кремниевых пластин, чипов.
Внимание!
Информация по Разработка мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов предоставлена компанией-поставщиком Синтез Микроэлектроника, ЗАО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
