Транзисторы IGBT 1MB03D-120
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Транзисторы IGBT - 1MB03D-120 /FUJI Electric Co Ltd Имя 1MB03D-120 Производитель FUJI Electric Co Ltd Корпус TO-3P Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 1200 В VCE(on): 3.5 В VGE: 20 В IC: 5 А PD: 70 Вт td(on): 1200 нс td(off): 1500 нс Cies: 1300 пФ TJmax: 150 °С
Вас также могут заинтересовать
Имя GT50J101 Производитель Toshiba Corporation Корпус TO-264 Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 600 В VCE(on): 4 В IC: 50 А td(on): 3350 нс TJmax: 150 °С
КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-49-25TO247 Характеристики: -600V, 40A Field Stop IGBT Ток: 40 A | Напряжение: 600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-46-16TO247 Характеристики: 30A 1600V Ток: 30 A | Напряжение: 1600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус6-49-33TO247 Характеристики: IGBT 600В 48А - Ток: 48 A | Напряжение: 600 |Описание: Технические параметры Структура n-каналМаксимальное напряжение кэ ,В 600Максим
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-47-12TO3P(N) Характеристики: Silicon N-Channel IGBT Ток: 30 A | Напряжение: 600 |
Внимание!
Информация по Транзисторы IGBT 1MB03D-120 предоставлена компанией-поставщиком Таймчипс, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
