Транзистор IGBT IRG4BC30F
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-01/3N2TO-220 Характеристики: 600 В, -31 А Ток: 31 A | Напряжение: 600 | Описание: Производитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-220-3Напряжение К-Э максимальное 600 ВТок коллектора максимальный при 25°-C 31 АТок коллектора максимальный при 100°-C 17 АНапряжение насыщения К-Э 1.59 ВВремя нарастания 26 нсВремя спада 160 нсВремя восстановления диода 60 нсПрямое падение напряжение диода 1.7 ВПримечание IGBT Discretes, Hard switching, FAST 1-8 kHz
Вас также могут заинтересовать
IGBT MODULES Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT модуль) — высокотехнологичная и наиболее совершенная модель высоковольтных ключей. IGBT модули сочетают возможности стандартного бипол
КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-51-16D2PAK Характеристики: IGBT- Uкэ=600В- Iк=50А Ток: 50 A | Напряжение: 600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-60-17TO220F Характеристики: N-Channel IGBT 40A 630V без диода Ток: 40 A | Напряжение: 630 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-47-12TO3P(N) Характеристики: Silicon N-Channel IGBT Ток: 30 A | Напряжение: 600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3Напр
Внимание!
Информация по Транзистор IGBT IRG4BC30F предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
