"Установка выращивания монокристаллов ""Сапфир-2006"""
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Предназначена для автоматизированного выращивания монокристаллов высокотемпературных материалов методом Амосова.
Вас также могут заинтересовать
Предназначена для выращивания методом Чохральского бездислокационных монокристаллов кремния полупроводниковой чистоты диаметром до 250 мм. Устройство для вращения и передвижения растущего монокристалл
Установка предназначена для автоматизированного выращивания высокотемпературных лазерных оксидных монокристаллов методом Киропулоса.
Установка предназначена для автоматизированного промышленного выращивания высокотемпературных оксидных монокристаллов методом Киропулоса.
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира любой кристаллографической ориентации в виде пластин. Метод ГНК позволяет выращивать монокристаллы лейкосапфира рекордных размеров, недостижим
Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла. Для выращив
Внимание! Информация по "Установка выращивания монокристаллов ""Сапфир-2006""" предоставлена компанией-поставщиком НИИ Изотерм, ОАО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|