"Установка выращивания монокристаллов ""Сапфир-2006"""
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Предназначена для автоматизированного выращивания монокристаллов высокотемпературных материалов методом Амосова.
Вас также могут заинтересовать
Предназначена для выращивания методом Чохральского бездислокационных монокристаллов кремния полупроводниковой чистоты диаметром до 250 мм. Устройство для вращения и передвижения растущего монокристалл
Установка НИКА-ПРОФИЛЬ предназначена для промышленного производства монокристаллов профилированного сапфира. Установка создана на базе современной механики и электроники, распределенных систем сбора и
Установка предназначена для автоматизированного промышленного выращивания высокотемпературных оксидных монокристаллов методом Киропулоса.
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являет
Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла. Для выращив
Внимание!
Информация по "Установка выращивания монокристаллов ""Сапфир-2006""" предоставлена компанией-поставщиком НИИ Изотерм, ОАО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
