"Установка выращивания монокристаллов кремния ""Изотерм-65ПС"""
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Предназначена для выращивания методом Чохральского бездислокационных монокристаллов кремния полупроводниковой чистоты диаметром до 250 мм. Устройство для вращения и передвижения растущего монокристалла и устройство для вращения и перемещения тигля защищены патентами на полезнгую модель.
Вас также могут заинтересовать
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира из расплава. Метод Киропулоса характеризуется малыми температурными градиентами на фронте кристаллизации. К основным преимуществам относятся т
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина по любой кристаллографической ориентации, том числе по С-ориентации (0001). Выращивание кристалла проводят в тигле, размеры и форма к
Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм. Оборуд
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являет
Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла. Для выращив
Внимание!
Информация по "Установка выращивания монокристаллов кремния ""Изотерм-65ПС""" предоставлена компанией-поставщиком НИИ Изотерм, ОАО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
