Код: SC-MED10
Сертификат международного образца CE прилагается, российский сертификат в стоимость не входит, цена зависит от модели аппарата.
Наши специалисты проведут обучение работы на аппарате для Вас и Ваших сотрудников. Выдаем сертификат о прохождении обучения.
Для полного удаления волос и на всегда требуется всего 3-5 процедур.
Описание:
Теория 808nm Диод Лазерная эпиляция
808nm система использует уникальный лазер с длиной широтно-импульсной энергии, проникающей в волосяной фолликул.
Используя теорию селективного оптического поглощения, лазер преимущественно поглощается меланином. И тогда сам волос и волосяной фолликул быстро нагреваются. Уникальная система супер-охлаждения приводит к определенному обезболивающему эффекту кожи. Результат, очень безопасное и эффективное, безболезненное лечение.
Преимущества Диодно-лазерной эпиляции:
1: Подходит для любого цвета волос.
2: Подходит для всех типов кожи (?, ?, ?, ?, ?, ?).
3: Удаление волос навсегда. Высокая эффективность.
4: Международный стандарт.
5: Немецкий модуль.
Характеристики системы:
1. Оптимальная длина волны лазера 808nm – что соответствует применению к различным частям и глубине волосяного фолликула, чтобы удалить волос любого типа.
2. Ширина импульса и длительность импульса регулируется (10 ms мс - 1400 ms), что является эффективным методом лечения в соответствии с различными типами волос.
3. Отсутствие пигментации. Подходит для любого типа кожи.
MB808 Система удаления волос использует самые передовые технологии, которая проникает глубже, чем раньше, так что кожа может поглощать меньше лазерного излучения.
4. Сапфир - контактная система охлаждения может сделать обработку более безопасной и без вреда для кожи. Температура - 0 ~ 5 ? , что позволяет использовать максимальную энергию, но не причиняя боли.
5. Большой размер пятна 20 мм (квадрат) увеличивает скорость обработки на большой площади удаления волос.
Применение:
1. Удаление волос для всех типов кожи и типа волос.
2. Омоложение кожи.
3. Сосудистая терапия.
Технические характеристики:
Тип лазера
Semiconductor (Diode) лазер
Длина волны лазера
808nm
Размер пятна
12 * 12 мм
Плотность энергии
10 ~ 150J / см2
Ширина импульса
10 ~ 1400ms
Частота повторения
0,5 ~ 10 Гц
Система охлаждения
Sapphire ChillTip ™
