Тиристор-диодный модуль (верхний тиристор) SEMiX 302KT
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Максимально допустимый средний ток тиристора ITAV @ A 300 Tc @ °C 85 Обратное напряжение тиристора VRRM @ V (max.) 1600 ITSM @ A 8000 Rth(j-c) @ K/W 0,09
Вас также могут заинтересовать
Xappктepиcтики мoдуля: Maкcимaльнo дoпуcтимый cрeдний тoк тиpистoрa ITAV @ A 700 Tc @ °C 100 Oбратноe напpяжeниe тиpистopа VRRM @ V (mах.) 2200 ITSM @ A 25000 Rth(j-c) @ K/W 0,06 Наименование Обpатное
Неуправляемый (диодный) модуль ВС-600.
Неуправляемый (диодный) выпрямительный модуль ПДГ-251.
Наименование МДД200-12 (аналог) Функциональная группа Диодный модуль Функциональный тип низкочастотный Метод монтажа Механический Рабочее положение любое Торговая марка No trademark Фактич
Наименование МДД40-12 Функциональная группа Диодный модуль Функциональный тип низкочастотный Метод монтажа Механический Рабочее положение любое Дата выпуска 01.01.1990 Торговая марка ОсОО
Внимание!
Информация по Тиристор-диодный модуль (верхний тиристор) SEMiX 302KT предоставлена компанией-поставщиком IGBT-Electronics (АйДжиБиТи-Электроникс), ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
