Импульсные транзисторы
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
 "В идеальном случае эффект управления током достигается без потери энергии (входной ток почти равен нулю). Электрод , через который в проводящий канал втекают носители заряда, называют истоком, а электрод, на который подаётся управляющий электрический сигнал, называется затвором. Проводящий канал - это область в полупроводнике, в которой регулируется поток носителей заряда. В связи с тем, что управление током в выхоной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ черезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом приемуществ по сравнению с биполярными: - высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; - высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); - почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); - квадратичность вольт - амперной характеристики (аналогична триоду); - высокая температурная стабильность; - малый уровень шумов."
Вас также могут заинтересовать
Транзисторы марок КТ(КП, 2Т) 201, 203, 213, 217, 303, 3102, 3107 - 3 длинных позолоченных вывода 2,5 см, d = ~ 0,5 cm, желтый ободок
Стенд предназначен для наземного проведения огневых испытаний мощных электроракетных двигателей с водородом в качестве рабочего тела. Создание испытательных стендов наземной отработки тепловакуумных р
В транзисторах AO4407A используется передовая технология TRENCH для обеспечения превосходного RDS (ON) и сверхнизкого заряда затвора с номинальным напряжением затвора 25 В. Это устройство подходит для
Шестигранные транзисторы пятого поколения используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого входного сопротивления на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой
Транзистор NE681M03 от NEC идеально подходит для применения в усилителях с низким уровнем шума, высоким коэффициентом усиления и низкой стоимостью. Новый низкопрофильный корпус NEC с плоским выводом \
Внимание! Информация по Импульсные транзисторы предоставлена компанией-поставщиком Воронежский завод полупроводниковых приборов- сборка (ВЗПП- С), ОАО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|