Транзистор Toshiba GT30J322
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Имя GT30J322 Производитель Toshiba Corporation Корпус TOP-3 Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 600 В VCE(on): 3 В VGE: 15 В IC: 30 А td(on): 400 нс TJmax: 150 °С
Вас также могут заинтересовать
Мобильный Магнитно-резонансный томограф Toshiba Excelart 1.5T (б/у) Мобильный Магнитно-резонансный томограф Toshiba Excelart 1.5T(2001 года), в трейлере, комплект измерительных катушек, Система
Кондиционер Toshiba RAV-SM562MUT-E/RAV-SM562AT-E Digital Inverter - характеристики:Инвертор: Да Мощность охлаждения (кВт): 5 Мощность обогрева (кВт): 5,6 Площадь (м2): 50 Размеры внутреннего блока (мм
В транзисторах AO4407A используется передовая технология TRENCH для обеспечения превосходного RDS (ON) и сверхнизкого заряда затвора с номинальным напряжением затвора 25 В. Это устройство подходит для
Шестигранные транзисторы пятого поколения используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого входного сопротивления на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой
Транзистор NE681M03 от NEC идеально подходит для применения в усилителях с низким уровнем шума, высоким коэффициентом усиления и низкой стоимостью. Новый низкопрофильный корпус NEC с плоским выводом \
Внимание!
Информация по Транзистор Toshiba GT30J322 предоставлена компанией-поставщиком Электропласт, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
