Подложки арсенида галлия.
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Подложки арсенида галлия (GaAs). Диаметры 40-50,8-76мм, ориентация и электро-физические параметры по требованию заказчика. Собственное производство. Также возможно изготовление подложек других полупроводниковых материалов: - фосфида галлия GaP, - арсенида индия InAs, - антимонида индия InSb.
Вас также могут заинтересовать
Оптовая компания "НИКАС" является крупнейшим поставщиком автомобильной электроники, систем автомобильного освещения и аксессуаров в УрФО. Главные принципы нашей работы – клиентоориентирова
Размеры: 1,05*50м. Толщина: 3 мм. В упаковке: 52,5 кв. м. Подложка Нпэ предназначена для снижения уровня ударного шума, сглаживания неровностей поверхности основания, повышает теплоемкость пола. Матов
ГЛАВА 1. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПРИМЕНЕНИЕ ГАЛЛИЯ 1.1. Свойства и применение галлия 1.2. Стандарты и технические характеристики галлия ГЛАВА 2. ОБЪЕМ И СТРУКТУРА РЫНКА ГАЛЛИЯ 2.1. Динамика объе
Водостойкая ПВХ пленка с клеевой основой. Защищена бумажной подложкой с силиконовым покрытием. Не содержит тяжелых металлов. Применима на любых чистых поверхностях. Толщина 0,12 мм.
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являет
Внимание!
Информация по Подложки арсенида галлия. предоставлена компанией-поставщиком Мега см, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
