Установки для выращивания искусственных кристаллов
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
 Электропечи с источником питания подключенным к двум фазам сети переменного тока и подающий на нагреватель переменный ток Параметры и размеры Апекс-M (30 кг) Апекс-250 (60 кг) Апекс-300 (85 кг) 1. Силовой однофазный трансформатор: - потребляемая мощность, кВт, не более 50 70 90 - напряжение первичной обмотки, В 380 380 380 - частота, Гц 50 - 60 - максимальное напряжение вторичной обмотки, В 12 12 14 2. Период процесса роста (дней) 7 14 18 3. Габаритные размеры установки: - длина, мм 2050 2200 2200 - ширина, мм 1600 1700 2000 - высота, мм 2700 2900 2900 - вес, кг 1500 1700 1900 Электропечи с источником питания подключенным к трем фазам сети переменного тока и подающим на нагреватель постоянный ток Параметры и размеры Апекс-M (30 кг) Апекс-250 (60 кг) Апекс-300 (85 кг) 1. Силовой трехфазный трансформатор: - потребляемая мощность, кВт, не более 50 70 90 - напряжение первичной обмотки, В 380 380 380 - частота, Гц 50 - 60 - максимальное напряжение вторичной обмотки, В 12 12 14 2. Период процесса роста (дней) 7 14 18 3. Габаритные размеры установки: - длина, мм 2050 2400 2400 - ширина, мм 1900 2000 2000 - высота, мм 2700 2900 2900 - вес, кг 1800 2500 2500
Вас также могут заинтересовать
"Многофункциональная установка НИКА-3 предназначена для выращивания широкой гаммы тугоплавких оксидных монокристаллов способом Чохральского, таких как сапфир, алюмоиттриевый гранат, танталат лития, ни
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира из расплава. Метод Киропулоса характеризуется малыми температурными градиентами на фронте кристаллизации. К основным преимуществам относятся т
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина по любой кристаллографической ориентации, том числе по С-ориентации (0001). Выращивание кристалла проводят в тигле, размеры и форма к
Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм. Оборуд
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являет
Внимание!
Информация по Установки для выращивания искусственных кристаллов предоставлена компанией-поставщиком Апекс, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
