Тиристоры
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
 Главная › Силовые полупроводниковые приборы ABB › Тиристоры IGCT Тиристоры IGCT Тиристоры IGCT IGCT (тиристор с интегрированным управлением) - это прогрессивный ключ с функциями включения и выключения для современных преобразовательных устройств средней и высокой мощности во всех сферах применения Все IGCT фирмы ABB Semiconductors - прижимные приборы. Они прижимаются с достаточно большим усилием к охладителям, которые обеспечивают тепловой и электрический контакт к выводам тиристора. Так как IGCT по форме и содержанию является родственником GTO, он интересен заказчикам, использующим GTO для перехода к новым системным разработкам или для совершенствования существующего оборудования (с минимальными изменениями) на использование современной технологии IGCT. Драйвер, управляющий включением-выключением, интегрирован с прибором, ему требуется внешний источник питания. Передача импульсов управления прибором осуществляется через оптоволоконные соединения. Драйвер прибора потребляет в среднем от 20 до 50 Вт. Подобно GTO, IGCT также оптимизирован для получения низких потерь в прово-дящем состоянии. Средняя частота переключения - 500 Герц. IGCT необходима защитная цепь (индуктивный реактор), для ограничения скорости нарастания тока включения. Од-нако, в отличие от GTO, dv/dt снаббер необязателен, при его наличии максимально вы-ключаемый ток IGCT повышается. Асимметричные IGCT Обозначение VDRM VDC VRRM ITGQM ITAVM ITSM VT VT0 rT TVJM RthJC RthCH Fm VGIN Tc= 85°C 3 мс TVJM 10 мс TVJM ITGQM TVJM TVJM В В В A A кA кA В В мОм °C K/кВт K/кВт кН В 5SHY 35L4510 4500 2800 17 4000 1700 50 32 2.7 1.40 0.33 125 8.5 3 40 28-40 5SHY 35L4511 4500 2800 17 3800 1400 43 28 3.4 1.70 0.46 125 8.5 3 40 28-40 5SHY 35L4512 4500 2800 17 4000 2100 50 35 2.0 1.15 0.21 125 8.5 3 40 28-40 5SHY 55L4500 4500 2800 17 5500 1860 50 32 2.8 1.15 0.3 125 8.5 3 40 28-40 5SHY 42L6500 6500 4000 17 4200 1280 42 25 4.20 1.65 0.6 125 8.5 3 40 28-40 С обратным запиранием IGCTs - оптимизированы для инверторов тока Обозначение VDRM VDC VAC ITGQM ITAVM VT VT0 rT Irr di/dt max. TVJM RthJC RthCH Fm VGIN Tc= 85°C ITGQM TVJM TVJM В В В A A В В мОм A A/мкс °C K/кВт K/кВт кН В 5SHZ 04D6500 6500 6500 3900 400 170 7.00 2.60 11.0 TBD 1000 125 44 10.0 8 20 С обратной проводимостью IGCTs - со встроенным обратным диодом, для выключения без снабберов
Вас также могут заинтересовать
Тири?стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристаллаполупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть сост
Мы предлагаем товары от разных поставщиков в одном месте, с сохранением минимальных цен. При заказе через интернет-магазин — скидка 5%. Работаем с физическими и юридическими лицами.
Тиристор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низко
Наименование КУ101Г Функциональная группа Тиристор кремниевый Функциональный тип триодный незапираемый Типоразмер корпуса отечественный КТЮ3-4 Английская транскрипция KU101G Метод монтажа На
Тиристоры быстродействующие серии ТБ Тиристор ТБ153, Тиристор ТБ253, Тиристор ТБ352, Тиристор ТБ143,
Внимание!
Информация по Тиристоры предоставлена компанией-поставщиком Цпмк, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
