Транзисторы
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. На принципиальных схемах обозначается «VT» или «Q». В русскоязычной литературе и документации до 1970-х гг. применялись обозначения «Т», «ПП» (полупроводниковый прибор) или «ПТ» (полупроводниковый триод).
Вас также могут заинтересовать
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-33-128TO92 Характеристики: N-MOSFET 600V 0.8A <-15 Om Ток: 0.8 A | Напряжение: 600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3Напр
КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-30-210TO220 Характеристики: N-MOSFET 12A  -600V Ток: 12 A | Напряжение: 600 |
Компания основана в 1999г. Более 10лет мы являемся комплексным поставщиком электронных компонентов, измерительного оборудования и инструментов промышленного и бытового назначения. Приоритетным направл
Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/ тип корпуса - TO-220 производитель - ON Semiconductor проводимость - NPN Напряжение Uкэ - 400В Частота рабочая - 14 МГц Максимальный ток Iк - 5АD
Внимание! Информация по Транзисторы предоставлена компанией-поставщиком Арсенал, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|