Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3Напряжение К-Э максимальное 600 ВТок коллектора максимальный при 25°-C 75 АТок коллектора максимальный при 100°-C 45 АНапряжение насыщения К-Э 2.14 ВВремя нарастания 13 нсВремя спада 15 нсВремя восстановления диода 42 нсПрямое падение напряжение диода 1.3 ВПримечание IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, WARP 30-150 kHz
Вас также могут заинтересовать
IGBT MODULES Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT модуль) — высокотехнологичная и наиболее совершенная модель высоковольтных ключей. IGBT модули сочетают возможности стандартного бипол
КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-46-16TO247 Характеристики: 30A 1600V Ток: 30 A | Напряжение: 1600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-51-16D2PAK Характеристики: IGBT- Uкэ=600В- Iк=50А Ток: 50 A | Напряжение: 600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-60-17TO220F Характеристики: N-Channel IGBT 40A 630V без диода Ток: 40 A | Напряжение: 630 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-47-12TO3P(N) Характеристики: Silicon N-Channel IGBT Ток: 30 A | Напряжение: 600 |
Внимание!
Информация по Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
