Транзистор MOSFET AP9930M
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
КодПроизводительТипНаличиеКорпус3-18-210 Характеристики: 2N AND 2P-CHANNEL Описание: N-CH BVDSS 30VP-CH BVDSS -30V▼- Low On-resistance RDS(ON) 33m&Omega-▼- Full Bridge Application on ID 6.3A -LCD Monitor Inverter P-CH BVDSS -30VRDS(ON) 55m&Omega-Description ID -5.1A
Вас также могут заинтересовать
КодПроизводительТипНаличиеКорпус6-43-336SO8 Характеристики: -30V 15A P-Channel Описание: VDS - - - - - - - - - - - -30V -ID (at VGS=-10V) -15
КодПроизводительТипНаличиеКорпус2-01-210SOT23 Характеристики: N 50V 200mA Ток: 0.2 A | Напряжение: 50 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-27-178TO92 Характеристики: N -60 В -200 мА Описание: Производитель: Fairchild SemiconductorКорпус TO-92FL-3Конфигурация и полярность NМаксимальное напряжени
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-64-2Nна заказTO-220 Характеристики: 50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Ток: 50 A | Напряжение: 60 |Описание: Производитель: Fairchild SemiconductorКорпус TO-220-3Конфигу
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-12-2N+P26SO8 Характеристики: N+P-Channel Ток: 7 A | Напряжение: 30 |Описание: &bull- N-Channel30V/7A,&bull- P-Channel --30V/-5A,&bull- Super High Dense Cell Desi
Внимание!
Информация по Транзистор MOSFET AP9930M предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
